IT之家12月14日消息，在全球DRAM供应持续紧张、价格大幅波动的背景下，SK海力士就当前内存短缺现状及应对措施作出回应。
SK海力士今日回应Wccftech称，内存需求增长明显超出此前预期，正通过新建晶圆厂和提前部署产能来应对AI相关内存需求的快速上升，但目前仍难以对内存短缺的持续时间作出明确判断。
SK海力士新建的M15X新工厂已在2年的时间里完成施工，并提前投产。该厂将专用于HBM芯片生产，计划于明年启动全面量产。
鉴于内存需求增长速度超出预期，我们正通过建立先进生产基础设施(包括M15X工厂及计划于2027年上半年投产的龙仁工厂)积极确保“厂房空间”与“生产产能”。这将使我们能够高效应对日益增长的人工智能内存需求及不断变化的客户需求。DRAM短缺冲击产业链，多类终端产品成本承压
随着DRAM供应趋紧，内存价格的快速上涨已对整个电子产业链产生影响。笔记本电脑、台式机、智能手机及各类依赖内存的电子设备，未来均可能面临成本上升压力。
SK海力士最新内部分析指出，在AI服务器需求快速扩张的推动下，全球DRAM市场正进入新一轮“超级周期”。在不包含HBM与SOCAMM的情况下，通用型DRAM的供给增长预计将在2028年前持续受限，库存水平快速下降，价格上行压力仍将延续。供给端：通用DRAM增长受限，扩产节奏放缓
SK海力士分析显示，剔除HBM与SOCAMM后，通用DRAM的供给增长在2028年前整体受限。与以往上行周期相比，DRAM产能扩张明显趋缓。
目前，主要供应商库存正在被持续消化，整体库存水平已接近最低运行区间；与此同时，受制于先进制程与新技术转换，DRAM实际可用产能的增长幅度有限。服务器需求激增，DRAM需求快速上行
受服务器需求显著增长带动，SK海力士预计DRAM需求(B/G)将出现约24%的高速增长(IT之家注：按bit位计算)。
服务器DRAM占比预计将从2025年的38%提升至2030年的53%
AI相关负载被视为推动本轮DRAM超级周期的核心驱动力
在服务器存储方面，受AI需求拉动，企业级SSD需求预计增长36%；消费级存储整体需求增长有限，但QLC产品的占比有望持续扩大。PC市场：出货量稳定，但AI PC拉动单机DRAM容量提升
SK海力士预计，2026年PC整体出货量将与2025年基本持平，但DRAM需求仍将上行，主要原因在于AI PC的快速普及。
2026年AI PC预计将占PC总出货量的55%
单机DRAM搭载容量随AI功能需求提升而增加
普通PC DRAM产量增速预计在2028年前持续低于需求增速
SK海力士表示，新建DRAM晶圆厂带来的额外产能，预计要到2028年后，随着产线运行逐步正常化，才能对市场形成实质性补充。NAND市场：投资重心转移，供给趋紧
SK海力士分析还指出，当前IDM厂商的主要资本开支正集中于服务器DRAM与HBM领域，导致NAND投入相对不足。SK海力士计划通过消耗现有NAND库存来应对阶段性需求缺口，但整体来看：
NAND库存水平预计将明显下降
市场供给趋紧
价格上行压力有望持续
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